本发明公开了一种半导体器件的应变结构。半导体器件的示例性结构包括具有主表面的衬底；在衬底的主表面上的栅极堆叠件；设置在栅极堆叠件一侧的浅沟槽隔离件(STI)；以及被应变结构填充的腔，该腔分布在栅极堆叠件和STI之间，其中腔包括一个由STI形成的侧壁，一个由衬底形成的侧壁和由衬底形成的底面，其中应变结构包括SiGe层和与STI的侧壁邻接的第一应变膜。