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> 技术详情
金属氧化层半导体场效应晶体管
编号:S000018294
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-26
浏览:
2252
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种金属氧化层半导体场效应晶体管,其包括第一导电性材料基板,形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层,在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区,其特征在于,所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面,所述金属层上敷设有绝缘层。本发明所述金属氧化层半导体场效应晶体管器件,与常规金属氧化层半导体场效应晶体管器件具有相同崩溃电压的情况下,可具有更低的导通电阻。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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