本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够防止利用激光修调被熔断的导电性熔丝因在镀覆工序中的镀覆电极而重新接合，并且防止镀覆液等进入熔丝熔断部。由多层配线构造形成的半导体基板（1）在修调元件形成区域（70）具有利用激光修调将导电性熔丝（10）熔断而形成的熔丝熔断槽（10a）。在半导体基板（1）上形成覆盖修调元素形成区域（70）的第二保护层（11）之后，在由最上层金属配线构成的外部引出焊盘电极（7）上形成镀覆电极（12）。之后，在镀覆电极（12）上形成具有开口且覆盖在包含第二保护层（11）上的半导体基板（1）上的第三保护层（13）。