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氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
编号:S000018466 刷新日期: 有效日期至:2020-11-20 浏览:2311 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种氧化物半导体薄膜晶体管包括源极、漏极、信道层、绝缘层、第一导体以及第二导体。信道层设置于源极以及漏极之间且与源极以及漏极彼此分离。绝缘层覆盖源极、漏极以及信道层。第一导体至少设置于绝缘层的第一开口中以与源极以及信道层接触。第二导体至少设置于绝缘层的第二开口中以与漏极以及信道层接触。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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