本发明公开了一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，包括以下步骤：制作半导体器件柱状凸点单体及再布线铜板，将半导体器件柱状凸点单体倒扣在再布线铜板上，然后回流；半导体器件柱状凸点单体的制作方法：在半导体芯片上形成电极；在半导体芯片和电极上覆盖钝化层；在钝化层上形成一层聚合物；再有选择的形成绝缘中空柱状件；在表面形成金属层；再形成光刻胶和开口；在绝缘中空柱状件中形成第一金属柱，形成第二金属柱；去除光刻胶和金属层；切割成单体。本发明制备的半导体器件扇出倒装芯片封装结构，能够缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起电极断裂，导致半导体器件失效的问题。