公开了一种具有位错的半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件和用于制造半导体器件的方法提高载流子迁移率。该方法包括：提供其中具有隔离部件的衬底和位于衬底上方的两个栅叠层，其中，栅叠层之一位于隔离部件的顶部。该方法进一步包括对衬底实施预非晶化注入工艺。该方法进一步包括形成与栅叠层的侧壁邻接的隔离件，其中，至少一个隔离件延伸超过隔离部件的边缘。该方法进一步包括在衬底上方形成应力膜。该方法还包括对衬底和应力膜实施退火工艺。还提供了形成半导体器件的方法。