半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法，其中所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有器件区，在所述半导体衬底表面形成硬掩膜层；去除所述器件区的部分硬掩膜层，并以剩余的硬掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底内形成若干开口；采用晶向各向异性湿法刻蚀所述开口侧壁，形成悬空的纳米线；去除剩余的硬掩膜层，并对所述纳米线进行热退火处理，使所述纳米线的横截面变为圆形。所述半导体结构的形成方法能够减少成本，且使所述半导体结构易于与基于硅基底的半导体器件集成。