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半导体结构的制造方法
编号:S000018143 刷新日期: 有效日期至:2020-09-29 浏览:2073 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种半导体结构的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成介质层,所述介质层内形成有硬掩模层,所述硬掩模层包含通孔图案;在所述介质层上形成包含沟槽图案的光刻胶层;以所述包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对所述介质层进行刻蚀,至暴露出硬掩模层,以形成沟槽;以所述硬掩模层和包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对形成有沟槽的介质层进行刻蚀,至暴露出半导体衬底,以形成通孔。本发明半导体结构的制造方法提高了所形成半导体结构中通孔位置的准确性,进而提高了包含本发明半导体结构的器件的稳定性和可靠性。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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