本发明涉及半导体装置的制造方法，能够在不损害设计的自由度的情况下容易地制造具有高的导通特性和截止特性的半导体装置。在对于可见光透明的半导体基板（1）的表面形成源极电极（2）以及漏极电极（3）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间形成表面侧栅极电极（4）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间以外的区域形成对准标记（5）。基于能够透过半导体基板（1）观察到的对准标记（5），对半导体基板（1）进行对位，在半导体基板（1）的背面，在与表面侧栅极电极（4）对置的位置形成背面侧栅极电极（6）。