本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一半导体区、第二半导体区、介电结构与栅电极层。第一半导体区具有第一导电型。第二半导体区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一半导体区是邻接第二半导体区。介电结构位于第一半导体区与第二半导体区上。栅电极层位于介电结构上。