本发明涉及一种包括第一和第二半导体元件的半导体器件。一种半导体器件包括：第一半导体元件，其包括在第一端子与第二端子之间的第一pn结。该半导体器件还包括：半导体元件，其包括在第三端子与第四端子之间的第二pn结。该半导体元件还包括：半导体本体，其包括单片地集成的第一半导体元件和第二半导体元件。第一和第三端子电耦合到第一器件端子。第二和第四端子电耦合到第二器件端子。第一pn结的击穿电压V_br1的温度系数α₁和第二pn结的击穿电压V_br2的温度系数α₂具有相同代数符号并且在T=300K处满足？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？，其中V_br2？<？V_br1。