本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括半导体二极管。半导体二极管包括漂移区和形成在漂移区中或形成在漂移区上的第一导电类型的第一半导体区。第一半导体区经由第一半导体本体的第一表面电耦接于第一端子。该半导体二极管包括电耦接至第一端子的第二导电类型的通道区，其中通道区的底部邻接第一半导体区。通道区的第一侧邻接第一半导体区。