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> 技术详情
半导体气体传感器
编号:S000018031
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-30
浏览:
2431
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
基于集成的场效应晶体管的半导体气体传感器具有半导体主体和通过间隙与通道区域分离的气体敏感的控制电极且构造为悬浮栅场效应晶体管,或者控制电极设置为具有间隙的电容器的第一板且电容器的第二板与电容性控制构造的场效应晶体管的栅极连接,控制电极具有半导体载体层和气体敏感层,半导体载体层具有增附剂层且气体敏感层位于增附剂层上,控制电极与参考电势连接,气体敏感层的表面朝着通道区域或第二板,在半导体主体表面上设有连接区,支撑区设置在连接区内,连接区具有第一连接区域和第二连接区域,第一连接区域借助第一连接剂与控制电极电连接和力锁合连接,第二连接区域借助第二连接剂与控制电极至少力锁合连接。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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