一种半导体装置，其为高效率功率MOS晶体管，比现有技术进一步改善了具有低导通电阻特性的功率MOS晶体管的开关特性。半导体芯片（100）具有：栅极电极（6），其在由指状电极构成的源极电极（8）与漏极电极（9）之间从指状电极的一端部（GE1）延伸到另一端部（GE2）；栅极引出电极，其经由形成于层间绝缘膜（7）的接触孔分别与栅极电极的端部（GE1，GE2）连接；钝化膜（12），其覆盖在所述层间绝缘膜上；栅极连接电极（G1，G2），其成为所述栅极引出电极的一部分，在该钝化膜的开口部露出；突起电极（25），其形成于该栅极连接电极。该半导体芯片（100）经由该突起电极与形成于BGA基板（200）的表面（201）的电阻低的栅极电极分流用基板布线（23）连接。