用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
N-取代吲哚二酮类化合物及其制备方法
编号:S000009099
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-18
浏览:
2576
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
医疗卫生 - 生物医药
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种N-取代吲哚二酮类化合物及其制备方法。该化合物的结构式为:其中: R
1
为:OMe或OTs;R
2
为:、一个碳到十二个碳的烷基、isopropyl、cyclopropyl、benzyl、alkyl、phenethyl、hydroxyethyl、furan-2-ylmethyl或naphthalen-1-yl;R
3
为:R
3
为:H、-Me、-OMe、-OEt、-Br、-Cl或-COOEt。该N-取代的吲哚二酮类化合物是一类重要的药物分子的活性骨架以及有机合成中间体,在药物化学中占有重要的地位。本发明方法的原料易得,反应产率高,底物适用范围广。反应中使用常规溶剂,操作简单、条件温和、反应环保,反应产率最高可达85%,非常适合工业生产。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
所在区域:中国
转让类型:
技术转让
一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
一种半导体外延片载片盘及其支撑装置及MOCVD反应室
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
核壳型Mn:ZnO/Mn:ZnS稀磁半导体异质纳米材料及其制备方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务