本发明公开了一种多层芯片堆叠结构，至少包含三层芯片，中间层芯片内包含TSV，在至少一个中间层芯片之外区域加工有穿透介质层的金属柱，直接实现非邻近层的通讯。还公开了两种多层芯片堆叠的实现方法，本发明在使用TSV的同时，在中间层芯片之外的区域，制作穿透介质层的垂直导电通道，直接实现跨层通讯，不仅降低了内层芯片的压力，也为系统设计提供了更多自由度。