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一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法
编号:S000062794 刷新日期: 有效日期至:2020-09-26 浏览:2018 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 废物利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法。首先采用水热法制备Fe3O4纳米粒子,随后通过四乙氧基硅烷(TEOS)的水解反应制备具有致密硅壳层结构的磁性纳米粒子Fe3O4SiO2,最后以Cu2+离子为模板离子、含氮硅烷化试剂(aapts,H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OMe)3)为功能单体、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为致孔剂、TEOS为交联剂在Fe3O4SiO2表面沉积多孔Cu2+离子印迹硅胶层,所得的磁性铜离子印迹材料可对Cu2+离子进行快速选择性富集、且具有优异的再生性能和耐酸性能。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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