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一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法
编号:S000062794
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-26
浏览:
2236
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 废物利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法。首先采用水热法制备Fe
3
O
4
纳米粒子,随后通过四乙氧基硅烷(TEOS)的水解反应制备具有致密硅壳层结构的磁性纳米粒子Fe
3
O
4
SiO
2
,最后以Cu
2+
离子为模板离子、含氮硅烷化试剂(aapts,H
2
NCH
2
CH
2
NHCH
2
CH
2
CH
2
Si(OMe)
3
)为功能单体、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为致孔剂、TEOS为交联剂在Fe
3
O
4
SiO
2
表面沉积多孔Cu
2+
离子印迹硅胶层,所得的磁性铜离子印迹材料可对Cu
2+
离子进行快速选择性富集、且具有优异的再生性能和耐酸性能。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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