本发明公开了一种矮生沿阶草r射线同质突变体库快速创制方法，包括如下步骤：1)高频体细胞胚外植体材料准备；2)早期体细胞胚外植体的培养；3)物理诱变剂准备；4)早期体细胞胚外植体的γ射线处理；5)体细胞胚分化培养；6)同质突变胚状体快繁増殖培养；7)同质突变胚状体的筛选及快繁増殖培养；8)成熟同质突变胚状体再生植株；9）同质突变体再生植株炼苗移栽；10)？田间突变体库建立。本发明快速构建矮生沿阶草r射线饱和同质突变体库的方法，不但为沿阶草功能基因组学、遗传育种问题的深入研究奠定了基础，同时为选育抗寒性强的矮生沿阶草新品种提供最直接有效的同质突变体材料，具有重要的理论意义和应用价值。