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用于光电-Fenton处理系统的多孔膜阴极及其制备工艺
编号:S000041471 刷新日期: 有效日期至:2020-11-07 浏览:2962 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 废物利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种用于光电-Fenton处理系统的多孔膜阴极及其制备工艺。将石墨粉前处理得到后物质B,物质B再经过KNO3水溶液、壬基酚聚氧乙烯醚水溶液、乙醇、叔丁醇和聚四氟乙烯乳液处理后得到膏状物A;将膏状物A涂抹在处理后的镍网一侧经挤压处理得到物质E;制备溶液C;将物质B、KNO3水溶液、壬基酚聚氧乙烯醚水溶液、乙醚、甲醇、二乙基蒽醌、溶液C和聚四氟乙烯乳液制备成膏状物B;将膏状物B涂抹在物质E的另一侧再经挤压、煅烧、冷却后即可得到用于光电-Fenton处理系统的多孔膜阴极。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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