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> 技术详情
用于光电-Fenton处理系统的多孔膜阴极及其制备工艺
编号:S000041471
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-07
浏览:
3207
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 废物利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种用于光电-Fenton处理系统的多孔膜阴极及其制备工艺。将石墨粉前处理得到后物质B,物质B再经过KNO
3
水溶液、壬基酚聚氧乙烯醚水溶液、乙醇、叔丁醇和聚四氟乙烯乳液处理后得到膏状物A;将膏状物A涂抹在处理后的镍网一侧经挤压处理得到物质E;制备溶液C;将物质B、KNO
3
水溶液、壬基酚聚氧乙烯醚水溶液、乙醚、甲醇、二乙基蒽醌、溶液C和聚四氟乙烯乳液制备成膏状物B;将膏状物B涂抹在物质E的另一侧再经挤压、煅烧、冷却后即可得到用于光电-Fenton处理系统的多孔膜阴极。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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