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> 技术详情
非对称三维结构微电容及其制造方法
编号:S000036337
刷新日期:
有效日期至:
2021-01-06
浏览:
2424
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 山西
技术领域:
能源与环保 - 先进储能技术
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及电容器及其制造技术,具体是一种非对称三维结构微电容及其制造方法。本发明解决了现有混合型超级电容器储能密度有限、容量低、抗过载能力弱、以及体积大的问题。非对称三维结构微电容包括阳极、阴极、以及玻璃基底;所述阳极包括阳极集流体、以及聚吡咯/氧化石墨烯二元复合功能薄膜;所述阳极集流体包括键合于玻璃基底上表面的阳极三维硅微结构、以及溅射于阳极三维硅微结构表面的阳极镍层;所述阴极包括阴极集流体、以及聚吡咯功能薄膜;所述阴极集流体包括键合于玻璃基底上表面的阴极三维硅微结构、以及溅射于阴极三维硅微结构表面的阴极镍层;阳极和阴极非对称设于玻璃基底上表面。本发明适用于节点电源、驱动电源等领域。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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