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非对称三维结构微电容及其制造方法
编号:S000036337 刷新日期: 有效日期至:2021-01-06 浏览:2038 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 山西 技术领域:能源与环保 - 先进储能技术
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及电容器及其制造技术,具体是一种非对称三维结构微电容及其制造方法。本发明解决了现有混合型超级电容器储能密度有限、容量低、抗过载能力弱、以及体积大的问题。非对称三维结构微电容包括阳极、阴极、以及玻璃基底;所述阳极包括阳极集流体、以及聚吡咯/氧化石墨烯二元复合功能薄膜;所述阳极集流体包括键合于玻璃基底上表面的阳极三维硅微结构、以及溅射于阳极三维硅微结构表面的阳极镍层;所述阴极包括阴极集流体、以及聚吡咯功能薄膜;所述阴极集流体包括键合于玻璃基底上表面的阴极三维硅微结构、以及溅射于阴极三维硅微结构表面的阴极镍层;阳极和阴极非对称设于玻璃基底上表面。本发明适用于节点电源、驱动电源等领域。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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