本发明提供了一种反铁电薄膜的制备方法。该方法采用由硅片层、中间层和铂薄膜组成的镀铂硅片；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子水中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与现有技术相比，本发明制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的能量存储密度，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。