本发明提供一种具有低操作电压的SONOS结构器件及其制备方法。在传统的阻挡氧化层和多晶硅栅极之间插入一层具有电荷存储能力的氮化硅层，使得阈值电压降低，从而使编译时所需的门极电压下降，减少由于高电压引起的应力诱导的漏电流和降低器件的功耗。