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> 技术详情
一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备
编号:S000035106
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-24
浏览:
2304
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 湖北
技术领域:
能源与环保 - 先进储能技术
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种低介电损耗储能介质陶瓷材料及其制备。该陶瓷材料体系的组成为xMgO-(1-x)SrTiO
3
,x=0~20.0wt%。制备方法为(1)制备SrTiO3陶瓷粉体;(2)按MgO粉体的质量占陶瓷粉体总质量的0~20.0wt%加入到陶瓷粉体中配料。然后用氧化锆球和无水乙醇作为介质球磨22~24小时;将球磨后的陶瓷粉体烘干后加入该烘干粉体质量为1.0wt%~3.5wt%的粘结剂造粒、压制成型,再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料;将生胚料在升温速率1.5~3℃/min,1350~1450℃下保温2小时得到储能介质陶瓷材料。本发明得到的储能介质陶瓷在0~120kv/cm电场范围内介电常数变化率小于4.5%,在20Hz~2MHz频率范围内介电常数变化率小于1.7%,在1kHz频率测试介电常数随x在160<<300变化,介电损耗tanδ<0.003,击穿场强E
b
>174.30kV/cm,储能密度γ>0.36J/cm
3
。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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