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> 技术详情
一种具有黄铜矿结构的CuInSe
2
以及CuIn
1-x
Ga
编号:S000033793
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-22
浏览:
2625
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种具有黄铜矿结构的CuInSe
2
以及CuIn
1-x
Ga
x
Se
2
纳米颗粒的制备方法。首先分别制备含有Cu
+
或Cu
2+
、In
3+
或Ga
3+
阳离子的金属前驱体溶液和Se粉前驱体溶液,然后将金属前驱体溶液和Se粉前驱体溶液混合,搅拌均匀,并在高纯氮气保护下加热至200~285℃,反应0.5~2h,得到CuInSe
2
或CuIn
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Ga
x
Se
2
纳米颗粒溶液,经高速离心、清洗以及干燥步骤得到CuInSe
2
或CuIn
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Ga
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Se
2
纳米颗粒。所得的CuInSe
2
以及CuIn
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Ga
x
Se
2
纳米颗粒具有黄铜矿晶体结构,分散性好,相纯度高,且元素组分接近化学计量比,为制备高转换效率薄膜太阳能电池打下了基础。本发明以廉价的金属盐和硒粉作为前驱体,采用简单的一锅合成方法,不需注入,操作简便,合成周期短,可重复性强,适于批量化生产。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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