本发明公开了一种准单晶硅片绒面的制备方法，属于半导体晶体硅及太阳能电池制造技术领域，本发明将准单晶硅片置于呈碱性的准单晶制绒液中进行反应制得准单晶硅片绒面，并根据准单晶硅片中（100）晶粒所占的面积来调整腐蚀的深度，以达到最好的制绒效果。本发明简化了准单晶制绒工艺，降低了准单晶电池片生产成本，有效地降低了准单晶硅片绒面的反射率，提高了准单晶电池片的光电转换效率。