本发明公开了一种含有上转换发光量子点的晶体硅的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在太阳能级多晶硅原料中掺入稀土元素8ppbw~120ppmw，利用常规CZ法制得单晶硅，或利用常规铸锭法制得多晶硅，所述单晶硅或多晶硅中的稀土元素的原子数量浓度为10¹⁰~10¹⁶atoms/cm³；步骤2.将步骤1制得的单晶硅或多晶硅，在700℃~1000℃进行退火处理，得到含有上转换发光量子点的单晶硅或多晶硅，即成。本发明还公开了一种上述方法制备的晶体硅，单晶硅中或多晶硅中的稀土元素的浓度为10¹⁰~10¹⁶atoms/cm³。本发明方法增加了硅材料对红外光谱的吸收，转换效率显著提高。