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一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法
编号:S000033587 刷新日期: 有效日期至:2020-11-30 浏览:2382 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法,包括如下步骤:步骤一、将多个单晶硅块作为籽晶,平铺在坩埚底部;所述多个籽晶的晶向相同;步骤二、将多晶硅料和掺杂剂置于坩埚中;步骤三、加热,控制温度使所述多晶硅料和所述掺杂剂完全融化,同时籽晶不完全熔化;及步骤四、降低与籽晶接触的熔融硅液的温度,使所述硅液沿不完全熔化的籽晶定向凝固生长,得到与所述籽晶的晶向相同的大晶粒铸造多晶硅。在大晶粒铸造多晶硅的生长过程中,通过定向引入晶界,可使位错在晶界处聚积,抑制了位错的不断增殖,降低了位错密度,提高了多晶硅太阳能电池的光电转换效率。
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