本发明涉及一种适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特点是通过回蚀某种选择性发射极方法形成的存在高/低掺杂浓度差异的硅片，同时去除高/低掺杂浓度区域表面掺杂层，回蚀目标方阻高掺杂浓度区30-60OPS，低掺杂浓度区80-120OPS。有此，回蚀高掺杂浓度区可有效去除表面死层，从而在不影响金半接触的前提下提高了非金属覆盖区域表面钝化质量，降低表面和发射层复合，提高短波光子响应，进而提升电池性能。