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一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法
编号:S000033453 刷新日期: 有效日期至:2020-10-08 浏览:2014 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法,包括:将高沸点有机溶剂和导电聚合物混合,升温至120~140℃,之后除水除氧;然后分别加入铜源、铟源和硒源并在氮气保护下升温至220~230℃,反应1~3h;最后自然冷却至室温,离心收集产物,得到CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶。本发明操作简单,一步获得CuInSe2/导电聚合物超结构杂化纳米晶,避免后续配体交换步骤,产物可直接制成“纳米晶墨水”,用于组装太阳能电池,容易规模化。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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