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一种CuInSe
2
/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法
编号:S000033453
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-08
浏览:
2234
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种CuInSe
2
/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法,包括:将高沸点有机溶剂和导电聚合物混合,升温至120~140℃,之后除水除氧;然后分别加入铜源、铟源和硒源并在氮气保护下升温至220~230℃,反应1~3h;最后自然冷却至室温,离心收集产物,得到CuInSe
2
/导电聚合物杂化纳米晶。本发明操作简单,一步获得CuInSe
2
/导电聚合物超结构杂化纳米晶,避免后续配体交换步骤,产物可直接制成“纳米晶墨水”,用于组装太阳能电池,容易规模化。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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