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> 技术详情
一种Ni-Cr磁控溅射靶材的制备方法
编号:S000033192
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-26
浏览:
2417
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种Ni-Cr磁控溅射靶材的制备方法,其靶材成分为80wt.%Ni和20wt.%Cr,通过真空熔炼、浇注、热锻、轧制、退火、机加工等工序制备,采用的原料是纯度为99.96%的电解镍,纯度为99.09%的金属铬,及少量稀土,其中稀土的组成为34.1wt.%La、65.74wt%Ce和少量杂质,通过在熔炼过程中添加0.05~0.4wt.%的稀土元素,并改变锻造形变量和轧制形变量(47.4~80.0%),获得致密度高、晶粒尺寸可在不大于80μm范围内调节且大小分布均匀的高质量Ni-Cr靶。使用本发明制备的Ni-Cr靶材,能有效提高Ni-Cr薄膜的质量以及薄膜沉积速率,该靶材可用于制作薄膜电阻、薄膜电阻应变计、太阳能光谱选择性吸收膜、低辐射镀膜玻璃等,其产品可广泛的应用于电子、能源、建筑等工业领域。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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