本发明公开了一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法。该电池自下而上依次为：p-Si衬底和n-Si层构成Si电池；p-InGaN层、i-InGaN层和n-InGaN层构成InGaN电池；Si电池和InGaN电池之间为直接键合叠加结构或通过梳状金属中间层键合叠加结构；在n-InGaN层上引出有Cr/Ni/Au欧姆接触金属电极，在p-Si衬底背面引出有Al/Au欧姆接触金属电极。方法主要利用InGaN和Si材料的吸收范围相结合，来获得更宽的光谱响应范围。由于本发明同时采用了InGaN薄膜和Si薄膜作为光吸收层，使得吸收蓝紫光波段的InGaN和吸收可见及红外波段的Si两者相结合，可以拓宽光吸收范围，有利于产生更多的光生载流子，提高有效光吸收，同时获得更高的Voc，进而提高电池的转换效率。该p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池可用于太阳能光伏发电。