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> 技术详情
一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法
编号:S000033047
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-29
浏览:
2504
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法,包括N-Type硅片本体,N-Type硅片本体的上、下表层分别具有B掺杂区组,相邻B掺杂区之间分别刻蚀有隔离槽,N-Type硅片本体的上、下表层上分别镀有氧化铝层,氧化铝层上镀有氮化硅层,氮化硅层上丝网印刷有电极。将电池分成若干子电池,子电池串联可以将硅片本身缺陷带来的电性能的损害降低到最小;电池双面受光,可以最大限度的吸收光子;电池的两面只有两根栅线,完全避免了遮光效应;钝化了所有硅片表面,使得每一个子电池都可以获得最佳性能。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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