本发明属于微纳米加工技术领域，具体为一种具有倒金字塔结构模板的制备方法。首先在单晶硅衬底正反两面都用PECVD的方法沉积氮化硅保护层；再在上述已沉积氮化硅保护层的硅片正面上旋涂光刻胶，并利用光刻制备光刻胶方块阵列结构；在光刻胶结构上利用电子束蒸镀的方法沉积一层金属铬，经过举离后得到铬的方格阵列结构；再以铬方格阵列结构为掩膜，用ICP刻蚀氮化硅，得到氮化硅的方格阵列结构；最后用异丙醇、KOH、水配成腐蚀液，利用湿法腐蚀硅从而得到倒金字塔结构。本发明方法制备的倒金字塔结构模板面积大，结构均匀完整，能有效的用于太阳能电池表面制绒等方向。