本发明提供了一种双重腐蚀去除磷浆膜的方法，解决了现有的磷浆掺杂法制备选择性发射极太阳电池过程中遇到的磷浆膜无法完全清除干净的问题。其特点是将带有磷浆膜的待处理硅片表面浸入含氟化物和氧化剂的腐蚀溶液中，利用溶解和剥离这两种腐蚀过程将磷浆膜去除干净，同时通过调整腐蚀液成分含量和腐蚀时间，可以将硅片表面因为腐蚀造成的方块电阻上升控制在一个可接受的范围。该方法兼容现有的工艺制程，有利于进一步改善磷浆掺杂选择性发射极太阳电池的外观和电性能。