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硅量子点的光活性层及其制作方法
编号:S000032840 刷新日期: 有效日期至:2020-12-23 浏览:2164 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种用于太阳能电池或发光二极管的光活性层及其制造方法。光活性层通过交替堆叠硅量子点层和导电层形成,在所述硅量子点层中,在硅化合物的介质中形成包含导电型杂质的多个硅量子点,所述导电层是包含与硅量子点的导电型杂质相同导电型杂质的多晶硅层。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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