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一种低维锰氧化物纳米晶体的制备方法
编号:S000032716
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-09
浏览:
3424
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,属于功能材料技术领域。本发明以去离子水,氢氧化钠和稀硫酸为溶剂,用无定形二氧化锰纳米颗粒为“种子”合成低维锰氧化物纳米晶体,无需表面活性剂,成本较低,生产容易扩大。制备出的低维锰氧化物纳米材料晶体结构和形貌丰富,合成产物粒径尺寸、形貌均匀。采用本发明方法制备出的低维锰氧化物可广泛应用于锂离子电池、太阳能电池、超级电容器等新能源器件,也可适用于催化剂载体、信息材料等领域,应用前景广阔。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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