您当前的位置:首页 > 供应列表 > 技术详情
一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法
编号:S000032592 刷新日期: 有效日期至:2020-12-01 浏览:2341 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法,其中方法包括如下步骤:将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融,再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0~2.0Ω.cm范围内,有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率,从而显著降低太阳能电池的制造成本,操作简单,易于在光伏产业推广应用。
分享到:
联系方式
在线QQ: 点击这里
机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
相似供应