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砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的制备方法
编号:S000032440 刷新日期: 有效日期至:2020-10-15 浏览:2457 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的制备方法,其特点是包括以下制备步骤:1、外延层反向生长制备GaAs三结太阳电池;2、步骤1制备的电池与Si衬底键合;3、剥离Ge衬底;4、粘接廉价衬底;5、剥离Si衬底。本发明采用先外延生长顶电池和中间电池,后生长底电池,保证了最先外延生长的晶格匹配顶电池和中间电池完美外延生长;提高了大面积外延薄膜的掺杂均匀性和薄膜可靠性,进一步提高了光电转换效率;采用比重轻于Ge的廉价支撑衬底,即减轻了电池的重量,提升了太阳电池的功率比,又有效降低了电池的成本,极大地提升了III-V族化合物太阳能电池的应用前景。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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