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一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法
编号:S000032424 刷新日期: 有效日期至:2020-11-22 浏览:2353 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法,属于晶硅薄膜太阳能电池领域。首先,分别采用磁控溅射法和等离子增强型化学气相沉积法,制备铝薄膜和非晶硅薄膜,通过控制铝层/非晶硅层厚度比例在0.5-1之间,叠层薄膜总厚度在100-400nm之间,能够有效优化多晶硅薄膜的连续性。本发明中还提出了新的薄膜腐蚀工艺,与传统腐蚀工艺相比,不但可以移除退火后薄膜内的铝,还能够起到消除多晶硅薄膜表面“硅岛”结构的作用。采用本发明的方法,能够获得表面平滑且连续性良好的高质量多晶硅薄膜。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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