本发明公开了一种暴露高能（111）晶面立方结构Cu₂Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备出暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu₂Se单晶纳米线，Cu₂Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好，所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu₂Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。