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> 技术详情
一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法
编号:S000032156
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-24
浏览:
2468
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 广东
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明属于光电器件领域,公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池,由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO或TiO
2
薄膜;光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成;阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种;窗口层为CdS薄膜;阳极为Ag或者Al;光活性层和阳极之间有一层MoO
3
氧化膜。本发明的CdTe纳米晶异质结太阳电池采用溶液加工技术,实现太阳电池的超薄化,且性能优异,能量转换效率高达3.73%。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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