本发明涉及一种基于激光氧化法的P型硅太阳能电池PN结结深测量方法，利用激光能量高，局部加热效果好的特点，在纯氧环境下，对硅表面进行加热氧化，然后逐层去除氧化层，达到逐层剥离表层硅材料的目的；由于激光加热在纯氧环境下进行，形成的氧化物固定了表层的杂质，减少了表层杂质的挥发；并且本发明利用磷元素易在氧化层/硅界面富集的原理，针对通过热扩散所形成的扩散区表面浓度大，体内浓度小的特点，使得磷元素由于热作用而导致的杂质浓度降低的现象受到抑制，从而降低杂质产生再分布对测量精度的干扰。实验证明，本发明测深测量方法简单易行，测量精确，测量成本低。