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Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池及其制备方法
编号:S000031353 刷新日期: 有效日期至:2020-10-18 浏览:2270 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖北 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提出了一种Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池(DSSC)及其制备方法。该Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池是由按照从下到上顺序的FTO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、Ga掺杂ZnO纳米线阵列层、钌配合物染料N719、I-/I3-电解液与Pt/FTO对电极组成的。通过电场辅助化学法进行Ga掺杂ZnO,使本发明的Ga掺杂ZnO纳米线阵列DSSC电池的光电转换效率达到1.53%。本发明所涉及的制备工艺简单易行,成本低,产率高,具有非常好的市场应用前景。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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