本发明涉及冶金级单晶硅太阳能电池片制造中的镀膜工艺，尤其是一种冶金级单晶硅太阳能电池双层减反膜镀膜工艺。其特点是，包括如下步骤：镀膜机反应腔体内抽真空；通入氨气和硅烷，时间15s～20s，控制氨气流量6300sccm～6400sccm，硅烷流量1400sccm～1500sccm；第一次镀膜；反应腔体抽真空，再通入氨气和硅烷，时间为15s～20s，控制氨气流量7100sccm～7200sccm，硅烷流量600sccm～700sccm；第二次镀膜；将反应腔体抽真空，然后冲入N₂直到常压即可完成。经过试用证明，本发明工艺结合了氮化硅薄膜各方面的优势，达到了优势最大化。