本发明公开了一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，方法之一是在晶体硅基片背面先印刷第一层铝浆，印刷后烧结，清洗多余铝浆保留铝背场，然后在背面上沉积钝化膜，再印刷银浆套印第一层铝以便打开钝化膜，然后再印刷第二层铝浆将所有区域产生的电流收集。方法之二是在沉积第一层背面钝化层之后印刷第一层铝浆，印刷后烧结，然后沉积第二层背面钝化膜，再印刷银浆套印铝浆区域以便打开钝化膜，将电流导出，最后背面第二层印刷铝浆将所有区域产生的电流收集。本发明的制备方法可直接应用到太阳能电池的制作，进而提高太阳能电池光电转化效率。采用这种制备方法的优点在于不需要添置新的设备，不需要对现有产线进行升级，不需要引入新的化学品。