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晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
编号:S000031141 刷新日期: 有效日期至:2020-12-16 浏览:2273 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 河北 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该清洗方法包括:步骤S1,采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗;步骤S2,采用纯水将完成步骤S1的硅片进行清洗。采用弱碱性溶液直接清洗弱酸性的腐蚀浆料,在超声作用的配合下,利用化学反应替代现有技术中的纯物理清洗作用,在较短的时间内即可完成,并且能够将处于边角位置的腐蚀浆料通过化学反应快速去除,不仅保证了清洗效果而且在缩短了清洗时间;同时,由于碱性溶液对硅片的主体没有腐蚀作用,因此不会对硅片已有的结构造成影响,进而不会影响以其制作的太阳能电池的效率,反而会由于清洗较为干净进一步提高了太阳能电池的各项性能。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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