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双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法
编号:S000031126 刷新日期: 有效日期至:2020-12-29 浏览:2032 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)开孔;(2)清洗、制绒;(3)采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子;第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反;(4)在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子;(5)采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子;第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同;(6)将硅片放入清洗液中,去除硅片正面和背面的表层原子;(7)热氧化、退火;(8)设置减反射膜;(9)设置孔金属电极;印刷,烧结。本发明采用离子注入的方法,较好地控制注入的位置,由其得到的太阳能电池不存在扩散制结处的短路问题;清洗去除掺杂后的硅片表层原子,获得了高质量的表面状态,实现对硅片表面的良好的钝化,取得了显著的效果。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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