本发明涉及一种高开路电压的多晶太阳能电池片的制备方法。扩散过程采用变温沉积高温推结工艺，并且印刷正极过程中的正极印刷图形采用90根细栅的密栅设计。变温沉积就是将温度升高至860℃，在升温过程中对硅片进行10min的变温沉积，通入大N₂、O₂和小N₂的混合气体，小N₂比例以体积百分计为7%；高温推结是在860℃维持温度稳定，停止通小N₂，通入大N₂、O₂进行杂质再分布，控制时间再17min，O₂比例以体积百分计为15%。本发明方法使硅片的方块电阻控制在90-95Ω/□，相比一次恒温沉积扩散可以在不增加成本的情况下使生产的多晶太阳能电池获得高的开路电压。