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> 技术详情
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法
编号:S000031101
刷新日期:
有效日期至:
2021-01-05
浏览:
2451
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,其包括:a)在衬底上制备钼背电极;b)在该钼背电极上制备铜铟镓硒吸收层;c)进行退火处理;d)在铜铟镓硒吸收层上制备In
2
Se
3
或ZnS缓冲层;e)在所述In
2
Se
3
或ZnS缓冲层上制备本征氧化锌高阻抗层;f)在所述本征氧化锌高阻抗层上制备氧化铟锡薄膜低阻抗层;g)在氧化铟锡薄膜低阻抗层上制备铝电极。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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