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一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法
编号:S000031101 刷新日期: 有效日期至:2021-01-05 浏览:2451 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,其包括:a)在衬底上制备钼背电极;b)在该钼背电极上制备铜铟镓硒吸收层;c)进行退火处理;d)在铜铟镓硒吸收层上制备In2Se3或ZnS缓冲层;e)在所述In2Se3或ZnS缓冲层上制备本征氧化锌高阻抗层;f)在所述本征氧化锌高阻抗层上制备氧化铟锡薄膜低阻抗层;g)在氧化铟锡薄膜低阻抗层上制备铝电极。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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