本发明公开了一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，该方法为依次生长Ｇｅ电池（2）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池（3）以及ＧａＩｎＡｓ电池（4）、第一减反射层（5）、第二减反射层（6）、ＧａＩｎＰ电池（7）、第三减反射层（8）、第四减反射层（9）和第五减反射层（10）；在第三减反射层（8）上形成所述顶电极（11）；在Ｇｅ电池（2）的整个下形成底电极（1）。